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Abstract
プラズマディスプレイの低消費電力化のために、二次電子放出能の高いMgO保護膜の設計が求められる。しかし一般に表面の微細構造や電子状態と、その二次電子放出特性を同時に知ることは困難である。そこで著者らは計算化学により保護膜表面の構造および電子状態を予測した。さらに従来まで考慮されていなかった表面トラップ電子によるエネルギー保存の効果を二次電子放出モデルに盛り込み、また電子遷移確率の精密化を測ることで、より定量的なMgO表面の二次電子放出能評価に成功した.
In order to reduce the power requirement of plasma display panel, it is effective to increase the secondary electron emission coefficient (γ value) of MgO protecting layer. We computationally analyzed geometries and electronic structures of several MgO surfaces. By using the calculated electronic structure, we estimated γ values. In the γ estimation, we additionally considered two characters of surface electron traps. The estimated γ values had good agreements with experimental values.
Journal
- Technical report of IEICE. SDM [List of Volumes]
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Technical report of IEICE. SDM 109(257), 39-40, 2009-10-22 [Table of Contents]
The Institute of Electronics, Information and Communication Engineers