抄録
非破壊・非接触で非発光再結合準位として作用する禁制帯内準位の評価が可能な2波長励起フォトルミネセンス法を用いて,障壁層と井戸層の両方にSiをドープしたMOCVD成長In_<0.16>Ga_<0.84>N/In_<0.02>Ga_<0.98>N量子井戸試料を評価した.PLスペクトルおよび積分PL強度の温度依存性では,Siドープ濃度の増加によってスペクトル半値幅が減少し,高温域での規格化PL強度が増大したことを確認した.更に,バンドギャップより低いエネルギーを持つBGE光の照射強度およびエネルギー依存性を調べ,BGEエネルギーが1.27〜1.95eVでの規格化PL強度低下の緩和が見られた.これは禁制帯内に存在する非発光再結合準位密度が低減したためである.これらの結果から,障壁層や井戸層での結晶性の改善,非発光再結合率の低減による量子井戸へのキャリア注入と発光再結合率の向上が示された.
We investigated below-gap levels in MOCVD-grown Si-doped In_<0.16>Ga_<0.84>N/In_<0.02>Ga_<0.98>N Quantum well (QW) structures by an optical method of Two-wavelength Excited Photoluminescence, as the non-destructive, non-contacting spectroscopy without electrode. Though the dependence of intensity and energy (1.27〜1.95eV) of the below-gap excitation on the photoluminescence intensity change, we found that Si-doping in both barrier and well layers reduced the density of below-gap states in the QW region.
