レーザアニールによるSrGa_2S_4:Eu薄膜蛍光体の作製と発光特性(発光型/非発光型ディスプレイ)

• 山崎 貴久

  静岡大学

• 清野 俊明

  日本製鋼所

• 小南 裕子

  静岡大学

• 中西 洋一郎

  静岡大学

• 畑中 義式

  愛知工科大学

• 原 和彦

  静岡大学

書誌事項

タイトル別名

• Preparation and CL properties of SrGa_2S_4:Eu thin film phosphors by laser annealing
• レーザアニールによるSrGa2S4:Eu薄膜蛍光体の作製と発光特性
• レーザアニール ニ ヨル SrGa2S4 Eu ハクマク ケイコウタイ ノ サクセイ ト ハッコウ トクセイ

抄録

本研究ではSrGa_2S_4:Eu薄膜蛍光体の作製を行っている。作製には850℃程度の熱処理が必要であるが、通常のガラス基板では600℃以上の高温に耐えられないため熱処理の低温化が必要であり、解決策として我々はレーザアニールを用いている。以前はレーザ光源にKrFエキシマレーザ(248nm)を使用していたが、発光特性の向上が難しく、今回はNd:YAGレーザの三倍波(355nm)を用いて実験を行い、その効果を調べた。Ga_2S_3:Eu(1mol%),SrS:Eu(2mol%)の二つのペレットを二元電子ビームにより蒸着させ、その後高温プロセスとして高温熱アニール(850℃)、低温プロセスとしてプレアニール(500℃)後レーザアニールを行った。後者の方法においてもSrGa_2S_4相が形成され、CL測定においてSrGa_2S_4中のEu^<2+>戸に起因する530nmにピークを持つ緑色発光が観測された。これらのことからレーザ光の波長の選択により低温プロセスでも高輝度のSrGa_2S_4:Eu薄膜蛍光体が形成されることが分かる。10kV、60μA/cm^2の電子線励起下で18,000cd/m^2のCL輝度が得られた。これは高温プロセスに匹敵する輝度である。

収録刊行物

• 映像情報メディア学会技術報告

  映像情報メディア学会技術報告 34.2 (0), 45-48, 2010

  一般社団法人 映像情報メディア学会

キーワード

• SrGa_2S_4:Eu
• 薄膜蛍光体
• 二元電子ビーム
• レーザアニール
• XRD
• CL

詳細情報

• CRID: 1390282679502544256
• NII論文ID: 110007581119
• NII論文ID: 10026366453
• NII論文ID: 110008001691
• NII書誌ID: AA1123312X
• ISSN: 09135685
• ISSN: 24241970
• ISSN: 13426893
• DOI: 10.11485/itetr.34.2.0_45
• NDL書誌ID: 10555648
• NDL書誌ID: 10545547
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I10555648
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I10545547
• 本文言語コード: ja
• データソース種別:
  • JaLC
  • NDL
  • CiNii Articles
• 抄録ライセンスフラグ: 使用不可