SiC表面分解法によるグラフェンの透過型電子顕微鏡観察(<特集>グラフェンの成長と応用)

• 乗松 航

  名古屋大学エコトピア科学研究所

• 楠 美智子

  ファインセラミックスセンター

書誌事項

タイトル別名

• Transmission Electron Microscope Observations of Graphene Produced by SiC Surface Decomposition Method(<Special Topic>Growth of Graphen and its Applications)
• SiC表面分解法によるグラフェンの透過型電子顕微鏡観察
• SiC ヒョウメン ブンカイホウ ニ ヨル グラフェン ノ トウカガタ デンシ ケンビキョウ カンサツ

抄録

SiC表面分解法により得たグラフェンの結晶学的特徴および成長メカニズムを,高分解能透過型電子顕微鏡観察により明らかにした.SiC上グラフェンは,ABC積層を有していることが明らかとなり,本方法により電場誘起電子状態制御の可能性が示唆される.また,グラフェンはSiCのステップ近傍で核生成し,その後テラス上へと水平成長することがわかった.

収録刊行物

• 日本結晶成長学会誌

  日本結晶成長学会誌 37 (3), 196-202, 2010

  日本結晶成長学会

詳細情報

• CRID: 1390282680872868992
• NII論文ID: 110007817400
• NII書誌ID: AN00188386
• DOI: 10.19009/jjacg.37.3_196
• ISSN: 21878366
• ISSN: 03856275
• NDL書誌ID: 10882003
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I10882003
• 本文言語コード: ja
• データソース種別:
  • JaLC
  • NDL
  • CiNii Articles
• 抄録ライセンスフラグ: 使用不可