有機EL素子のプラズモン発光とピーク波長(半導体レーザ関連技術,及び一般) Surface Plasmon Mediated Light Emission and its Peak Wavelength in Organic Light-Emitting Diodes

    • 佐藤 由章 Satoh Y.
    • 立命館大学大学院理工学研究科 Faculty of Science and Engineering, Ritsumeikan University
    • 小島 修司 Kojima S.
    • 立命館大学大学院理工学研究科 Faculty of Science and Engineering, Ritsumeikan University

    • 大塚 岳夫 Otsuka T.
    • 大阪大学先端科学イノベーションセンター Center for Advanced Science and Innovation, Osaka University
    • 三浦 伸仁 Miura N.
    • (株)カネカ先端材料開発研究所 Frontier Materials Development Laboratories, Kaneka Corporation

抄録

燐光型有機EL素子は三重項からの発光を用いることがで、緑色や赤色で高い発光効率が実現されているが、短波長領域では未だ十分な特性が得られていない。短波長領域で十分な特性を得ることは次世代ディスプレイや照明に有用であり、表面プラズモン効果による発光効率向上の可能性を調べた。発光層全面にCBP: Ir(ppy)_3を用いた素子と発光層がCBP: Ir(ppy)_3/CBPから成る2種類の燐光型有機EL素子で、フォト・ルミネッセンスとエレクトロ・ルミネッセンスのスペクトル測定を行った。後者のCBP: Ir(ppy)_3/CBP素子では430nmでプラズモンからの発光と考えられるCBP層からの発光が見られたが、前者のCBP: Ir(ppy)_3ではそのような発光は見られなかった。また、プラズモン発光のピーク波長はプラズマ波長よりも長波長側にあった。

Phosphorescent organic devices use light emitted from the relaxation of triplet excitons, and high luminous efficiencies have been obtained in green and red devices. Achieving high luminous efficiency in the short wavelength region, which has not yet been attained, is critical to organic EL-used displays and lighting. We have examined the possibility of improving the luminous efficiency through the surface plasmon. We measured the photoluminescence and electroluminescence spectra for two kinds of phosphorescent organic devices. One of the devices used CBP: Ir(ppy)_3 and the other used CBP: Ir(ppy)_3/CBP as the emission layer. Light emission of around 430 nm, which was considered to originate from the surface plasmon, was observed only in the CBP: Ir(ppy)_3/CBP devices. It didn't, however, appear in the CBP: Ir(ppy)_3 devices. It was found that the wavelength of 430 nm was situated at a wavelength longer than the plasma wavelength.

収録刊行物

電子情報通信学会技術研究報告. LQE, レーザ・量子エレクトロニクス   [巻号一覧]

電子情報通信学会技術研究報告. LQE, レーザ・量子エレクトロニクス 109(331), 31-35, 2009-12-04  [この号の目次]

社団法人電子情報通信学会

参考文献:  13件

参考文献を見るにはログインが必要です。ユーザIDをお持ちでない方は新規登録してください。

プレビュー

プレビュー

各種コード

  • NII論文ID(NAID) :
    110008002382
  • NII書誌ID(NCID) :
    AN10442705
  • 本文言語コード :
    JPN
  • 資料種別 :
    ART
  • ISSN :
    09135685
  • NDL 記事登録ID :
    10510159
  • NDL 雑誌分類 :
    ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
  • NDL 請求記号 :
    Z16-940
  • 収録DB :
    CJP書誌  NDL  NII-ELS