抄録
トンネル注入半導体光増幅器(TI-SOA)は,活性層にキャリアのリザーバーを設置することで,誘導放出により減少したキャリアの高速な補償を可能とする.光入射時のキャリア減少の補償をトンネル注入構造の設計による活性層へのキャリア注入特性を制御することにより,TI-SOAの高速動作が可能になる.今回,数値解析によりTI-SOAのキャリアの位置的及びエネルギー的分布と注入領域構造のデバイス特性への影響を検討したので報告する.解析の結果として,従来のSOAに対してパターン効果の大幅な抑制の可能性があることを示す.
Semiconductor optical amplifier with a tunnel injection (TI-SOA) has carrier reservoir provides the carrier reduced by stimulated emission for the active region. And TI-SOA can control the current injection by designing the quantum-well based structure. Both effects enable the speed-up of SOA. In this paper we provide the influence of a positional and energy distribution of the carrier and injection region structure on the device characteristics by the numerical analysis. The results indicate that TI-SOA has the potential of high-speed operation compared with conventional quantum well SOA (QW-SOA).
