位相変調器用InGaAs/InAlAs五層非対称結合量子井戸の歪導入による特性改善の理論検討

書誌事項

タイトル別名
  • イソウ ヘンチョウ キヨウ InGaAs InAlAs5ソウ ヒタイショウ ケツゴウ リョウシ イド ノ ヒズミ ドウニュウ ニ ヨル トクセイ カイゼン ノ リロン ケントウ
  • Theoretical analysis of property improvement of InGaAs/InAlAs five-layer asymmetric coupled quantum well for phase modulator by strain application
  • 機構デバイス
  • キコウ デバイス

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