24aPS-37 Si結晶の高角度入射-STEM像の定量解析(24aPS 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))

• 金 秀鉉

  東工大院理工

• 大島 義文

  JST-CREST:東工大院理工

• 澤田 英敬

  JST-CREST:日本電子

• 橋川 直人

  日本電子

• 朝山 匡一郎

  東工大院理工

• 近藤 行人

  JST-CREST:日本電子

• 竹口 雅樹

  NIMS

• 中山 佳子

  NIMS

• 谷城 康眞

  東工大院理工:JST-CREST

• 高柳 邦夫

  東工大院理工:JST-CREST

書誌事項

タイトル別名

• 24aPS-37 A Dopant Cluster in Sb-doped Si crystal studied by HAADF-STEM

収録刊行物

• 日本物理学会講演概要集

  日本物理学会講演概要集 65.2.4 (0), 847-, 2010

  一般社団法人 日本物理学会

詳細情報

• CRID: 1390282680953323392
• NII論文ID: 110008099642
• DOI: 10.11316/jpsgaiyo.65.2.4.0_847_1
• ISSN: 21890803
• 本文言語コード: ja
• データソース種別:
  • JaLC
  • CiNii Articles