デュアルゲート構造を用いたAlGaN/GaN HEMTの電流コラプスの表面帯電部位依存性の評価

• 田島 正文

• 橋詰 保

書誌事項

タイトル別名

• デュアルゲート コウゾウ オ モチイタ AlGaN GaN HEMT ノ デンリュウ コラプス ノ ヒョウメン タイデン ブイ イソンセイ ノ ヒョウカ
• Current collapse characterization of AlGaN/GaN HEMTs using by dual-gate structure
• マイクロ波
• マイクロハ

収録刊行物

• 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報

  電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 110 (359), 41-44, 2011-01

  東京 : 電子情報通信学会

キーワード

• AlGaN
• GaN
• HEMT
• 電流コラプス
• 動作安定性
• デュアルゲート構造
• current collapse
• operation stability
• dual-gate structure

詳細情報

• CRID: 1520290882280463744
• NII論文ID: 110008676297
• NII論文ID: 110008676042
• NII書誌ID: AA1123312X
• ISSN: 09135685
• NDL書誌ID: 10969336
• NDL書誌ID: 10968906
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I10969336
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I10968906
• 本文言語コード: ja
• NDL 雑誌分類:
  • ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
• データソース種別:
  • NDL
  • CiNii Articles