25aTN-9 塑性変形したGe半導体結晶ウェーハーの中性子反射率(25aTN X線・粒子線(中性子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))

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  • CRID
    1390001205976855808
  • NII論文ID
    110008715701
  • DOI
    10.11316/jpsgaiyo.66.1.4.0_952_3
  • ISSN
    21890803
  • 本文言語コード
    ja
  • データソース種別
    • JaLC
    • CiNii Articles

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