GaN系HFETsの電流コラプスの測定--非極性a面GaN基板上HFET及びc-GaN基板上p-GaNゲートを用いたノーマリーオフ型JHFET

• 杉山 貴之

• 本田 善央

• 山口 雅史

書誌事項

タイトル別名

• GaNケイ HFETs ノ デンリュウ コラプス ノ ソクテイ ヒキョクセイ aメン GaN キバン ジョウ HFET オヨビ c GaN キバン ジョウ p GaN ゲート オ モチイタ ノーマリーオフガタ JHFET
• Current collapse in GaN-based HFETs: HFETs on c- and a-GaN substrate/normally-off JHFET with p-GaN gate
• 電子デバイス
• デンシ デバイス

収録刊行物

• 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報

  電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 111 (44), 175-178, 2011-05

  東京 : 電子情報通信学会

キーワード

• AlGaN/GaN
• HFETs
• 電流コラプス
• 非極性
• ノーマリーオフ
• GaN基板
• current collapse
• non-polar
• normally-off
• GaN substrate

詳細情報

• CRID: 1520009408045481088
• NII論文ID: 110008726007
• NII論文ID: 110008725985
• NII論文ID: 110008726166
• NII書誌ID: AA1123312X
• ISSN: 09135685
• NDL書誌ID: 11117406
• NDL書誌ID: 11116965
• NDL書誌ID: 11117537
• Web Site: http://id.ndl.go.jp/bib/11117406
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I11117406
• Web Site: http://id.ndl.go.jp/bib/11116965
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I11116965
• Web Site: http://id.ndl.go.jp/bib/11117537
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I11117537
• 本文言語コード: ja
• NDL 雑誌分類:
  • ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
• データソース種別:
  • NDL
  • CiNii Articles
  • KAKEN