燐光有機EL素子の過渡EL特性(材料デバイスサマーミーティング)  [in Japanese] Properties of Transient EL in Phosphorescent Organic Light-Emitting Diodes  [in Japanese]

燐光有機EL素子を作製し、変調電圧及び電流駆動特性に関する検討を行った。青色燐光有機EL素子の過渡EL特性は、素子面積の減少に対して大幅な高速化は観測されなく、素子面積に対してほとんど依存牲は観測されなかった。燐光有機EL素子の過渡EL特性の挙動に関して、三重項-三重項消滅モデルにて解析を行った。高電流領域では、三重項-三重項消滅に起因した外部電流効率の減少が観測された。それに伴い三重項-三重項消滅に関連した高密度の三重項励起子と非発光遷移による応答の立ち上がり時間と立ち下がり時間の減少が見られた。燐光発光デバイスの変調速度は、主に燐光再結合寿命により律速された。

The properties of transient electroluminescence (EL) of phosphorescent organic light-emitting diodes (OLEDs) were investigated. The transient properties of phosphorescent OLEDs were almost independent on the device sizes. The behaviors of the transient EL characteristics are analyzed using the triplet-triplet annihilation model. The device exhibited a gradual decrease in quantum current efficiency owing to the triplet-triplet annihilation at a high current density. At a higher current density, the reduced rise and decay times are due to high-density triplet excitons related to the enhanced triplet-triplet annihilation and the increase of the nonradiative process. The cut-off frequency of the devices is mainly limited by the phosphorescent recombination lifetime.