ハフニウム酸化物への元素添加効果--第一原理計算による検討

• 中山 利紀

• 川崎 裕

• 丸泉 琢也

書誌事項

タイトル別名

• ハフニウム サンカブツ エ ノ ゲンソ テンカ コウカ ダイイチ ゲンリ ケイサン ニ ヨル ケントウ
• Effects of foreign atom incorporation into HfO2 dielectrics: examination using a first-principles method
• シリコン材料・デバイス
• シリコン ザイリョウ デバイス

収録刊行物

• 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報

  電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 111 (114), 75-80, 2011-07-04

  東京 : 電子情報通信学会

キーワード

• 高誘電率絶縁膜
• HfO2
• 元素添加
• 第一原理計算
• high-k
• gate dielectrics
• foreign atom incorporation
• first-principles method

詳細情報

• CRID: 1520853832682443008
• NII論文ID: 110008800859
• NII書誌ID: AA1123312X
• ISSN: 09135685
• NDL書誌ID: 11200257
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I11200257
• 本文言語コード: ja
• NDL 雑誌分類:
  • ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
• データソース種別:
  • NDL
  • CiNii Articles