促進障壁層構造を有するAlGaN/GaN E-mode HFETの作製

• 前田 就彦

• 廣木 正伸

• 佐々木 智

Bibliographic Information

Other Title

• ソクシン ショウヘキソウ コウゾウ オ ユウスル AlGaN/GaN E-mode HFET ノ サクセイ
• Fabrication of AlGaN/GaN E-mode HFETs with Enhanced Barrier Structures
• 電子部品・材料
• デンシ ブヒン ・ ザイリョウ

Journal

• 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報

  電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 111 (291), 49-54, 2011-11

  東京 : 電子情報通信学会

Keywords

• GaNヘテロ構造FET
• E-mode
• リセスゲート構造
• 促進障壁層構造
• MIS構造
• ダブルヘテロ構造
• GaN HFET
• recessed-gate
• enhanced-barrier structure
• MIS structure
• double-heterostructure channel

Details

• CRID: 1520009409217572096
• NII Article ID: 110009466256
• NII Article ID: 10031104007
• NII Article ID: 110009465990
• NII Article ID: 110009466036
• NII Book ID: AA1123312X
• ISSN: 09135685
• NDL BIB ID: 023343182
• NDL BIB ID: 023343825
• NDL BIB ID: 023345554
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I023343182
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I023343825
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I023345554
• Text Lang: ja
• NDL Source Classification:
  • ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
• Data Source:
  • NDL
  • CiNii Articles