InGaAs MOSFETにおけるソース充電時間の検討

• 宮本 恭幸

• 山田 真之

• 内田 建

Bibliographic Information

Other Title

• InGaAs MOSFET ニ オケル ソース ジュウデン ジカン ノ ケントウ
• Study of source charging time in InGaAs MOSFET
• 電子デバイス
• デンシ デバイス

Journal

• 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報

  電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 111 (373), 59-62, 2012-01

  東京 : 電子情報通信学会

Keywords

• ソース充電時間
• InGaAs MOSFET
• バリスティック電子
• Source charging time
• ballistic electron

Details

• CRID: 1520853832416407424
• NII Article ID: 10031109687
• NII Article ID: 110009480982
• NII Article ID: 110009481100
• NII Book ID: AA1123312X
• ISSN: 09135685
• NDL BIB ID: 023420835
• NDL BIB ID: 023422135
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I023420835
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I023422135
• Text Lang: ja
• NDL Source Classification:
  • ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
• Data Source:
  • NDL
  • CiNii Articles