レーザー3次元アトムプローブによる半導体材料中のドーパント分布解析(最近の研究から)

• 井上 耕治

  京都大学大学院工学研究科:(現)東北大学金属材料研究所

• 清水 康雄

  東北大学金属材料研究所

• 高見澤 悠

  東北大学大学院工学研究科

書誌事項

タイトル別名

• Dopant Distribution Analysis in Semiconductor Materials by Pulsed-Laser Atom Probe Tomography(Current Topics)
• レーザー3次元アトムプローブによる半導体材料中のドーパント分布解析
• レーザー 3ジゲン アトムプローブ ニ ヨル ハンドウタイ ザイリョウ チュウ ノ ドーパント ブンプ カイセキ

抄録

3次元アトムプローブは,針状試料に高電圧を印加することで電界蒸発と呼ばれる試料先端表面原子のイオン化脱離現象を引き起こし,蒸発したイオンを一つ一つ検出することで材料中の3次元元素マッピングが可能な手法である.近年,レーザーで電界蒸発を補助する技術により,従来困難とされてきた半導体や絶縁体材料の分析が可能となった.本稿ではMOSトランジスタ等の半導体材料中の微量ドーパント分布解析への応用例を紹介する.

収録刊行物

• 日本物理学会誌

  日本物理学会誌 67 (9), 645-649, 2012-09-05

  一般社団法人 日本物理学会

詳細情報

• CRID: 1390564227324241792
• NII論文ID: 110009496071
• NII書誌ID: AN00196952
• DOI: 10.11316/butsuri.67.9_645
• ISSN: 24238872
• ISSN: 00290181
• NDL書誌ID: 023919561
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I023919561
• 本文言語コード: ja
• データソース種別:
  • JaLC
  • NDL
  • CiNii Articles
• 抄録ライセンスフラグ: 使用不可