ALUローテーションによるスーパスカラプロセッサの性能向上

この論文をさがす

抄録

プロセッサの定格の電圧と動作周波数は,半導体素子が正常に動作することを保証するため,ジャンクション温度がしきい値を超えないように定められている.ジャンクション温度はホット・スポットのモジュールのアクティビティに依存するため,IPC を保ったままアクティビティを下げることができればより高い周波数を用いることができ,プロセッサ性能は向上する.ホット・スポットの 1 つである ALU は,通常の実装では ALU 間のアクティビティに大きな偏りが存在し,その結果,特定の ALU が高温になりやすい構造となっている.本稿では,多数の ALU を用意し,それらをラウンド・ロビンに利用することで,IPC を悪化させることなく個々の ALU のアクティビティを抑える手法を提案する.評価の結果,提案手法によって 10.4% 性能が向上することがわかった.

収録刊行物

詳細情報 詳細情報について

  • CRID
    1570854177919802112
  • NII論文ID
    110009552443
  • NII書誌ID
    AN10096105
  • 本文言語コード
    ja
  • データソース種別
    • CiNii Articles

問題の指摘

ページトップへ