ドライエッチ面を含むAl₂O₃/AlGaN/GaN構造の界面評価

• 谷田部 然治

• 堀 祐臣

• 金 聖植

書誌事項

タイトル別名

• ドライエッチメン オ フクム Al ₂ O ₃/AlGaN/GaN コウゾウ ノ カイメン ヒョウカ
• Interface characterization of GaN-based MOS heterostructures employing ICP-etched AlGaN surfaces
• シリコン材料・デバイス
• シリコン ザイリョウ ・ デバイス

収録刊行物

• 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報

  電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 112 (34), 49-52, 2012-05

  東京 : 電子情報通信学会

キーワード

• ドライエッチング
• ICP
• AlGaN
• MOS
• Al₂O₃
• C-V
• 界面準位
• dry etching
• interface state

詳細情報

• CRID: 1520009408072478592
• NII論文ID: 110009569441
• NII論文ID: 110009569526
• NII論文ID: 110009569502
• NII書誌ID: AA1123312X
• ISSN: 09135685
• NDL書誌ID: 023743597
• NDL書誌ID: 023744608
• NDL書誌ID: 023744293
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I023743597
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I023744608
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I023744293
• 本文言語コード: ja
• NDL 雑誌分類:
  • ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
• データソース種別:
  • NDL
  • CiNii Articles