薄膜BOX-SOIを用いた超低電圧向けレペルシフタ回路の検討

• 中村 昌平

  芝浦工業大学大学院理工学研究科電気電子情報工学専攻

• 宇佐美 公良

  芝浦工業大学工学部情報工学科

書誌事項

タイトル別名

• Level Converter Design for Ultra Low Voltage Operation in Silicon-on-Thin-BOX MOSFET

抄録

FD-SOIのデバイスの一つである薄膜BOX-SOI(Silicon on Thin Buried Oxide:SOTB)は、Vthばらつきを抑えることができるため、論理回路の更なる低電源電圧化を図ることができる。超低電圧の信号の変換に既存のレベルシフタを用いると、レベルシフタ内部の貫通電流により消費電力が非常に大きくなってしまう問題がある。この問題を解決するために、本論文では薄膜BOX-SOIを用いた超低電圧向けレベルシフタを提案する。レベルシフタにより、従来回路よりも大幅に省電力で超低電圧の信号を通常電圧の信号に変換できることを示す。

収録刊行物

• 情報処理学会研究報告. SLDM, [システムLSI設計技術]

  情報処理学会研究報告. SLDM, [システムLSI設計技術] 2013 (8), 1-6, 2013-05-09

  一般社団法人情報処理学会

キーワード

• 設計手法

詳細情報

• CRID: 1572824502777496832
• NII論文ID: 110009579524
• NII書誌ID: AA11451459
• ISSN: 09196072
• 本文言語コード: ja
• データソース種別:
  • CiNii Articles