TiN電極中の酸素に起因したHf系High-kゲート絶縁膜の特性劣化

• 細井 卓治

• 大嶽 祐輝

• 有村 拓晃

書誌事項

タイトル別名

• TiN デンキョク チュウ ノ サンソ ニ キイン シタ Hfケイ High-kゲート ゼツエンマク ノ トクセイ レッカ
• Oxygen-induced High-k Dielectric Degradation in TiN/Hf-based High-k Gate Stacks
• シリコン材料・デバイス
• シリコン ザイリョウ ・ デバイス

収録刊行物

• 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報

  電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 121 (92), 43-46, 2012-06-21

  東京 : 電子情報通信学会

キーワード

• 高誘電率ゲート絶縁膜
• メタルゲート
• 拡散
• HfSiO
• TiN
• MIPS
• high-k dielectrics
• metal gate
• diffusion

詳細情報

• CRID: 1520572357526480896
• NII論文ID: 110009588303
• NII書誌ID: AA1123312X
• ISSN: 09135685
• NDL書誌ID: 023811211
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I023811211
• 本文言語コード: ja
• NDL 雑誌分類:
  • ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
• データソース種別:
  • NDL
  • CiNii Articles