As^+イオン注入したゲルマニウム層の化学分析(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)

• 小野, 貴寛

• 大田, 晃生

• 村上, 秀樹

• 東, 清一郎

• 宮崎, 誠一

• Ono, Takahiro

• Ohta, Akio

• Murakami, Hideki

• Higashi, Seiichiro

• Miyazaki, Seiichi

書誌事項

タイトル別名

• As⁺イオン注入したゲルマニウム層の化学分析
• As ⁺ イオン チュウニュウ シタ ゲルマニウムソウ ノ カガク ブンセキ
• Chemical Analysis of As^+ -implanted Ge(100)

抄録

高濃度As^+イオン注入したGe(100)でのAsの活性化に対する知見を得るために、加速電圧10keV,ドーズ量1x10^<15>cm^<-2>でイオン注入後、熱処理に伴う化学構造変化やAs活性化状況を系統的に調べた。イオン注入により、p型Ge(100)基板の表層深さ約19nmが非晶質化すると共に、アクセプター型欠陥準位が生成されることが明らかになった。熱処理による基板側から再結晶化と伴って、Asの活性化が進行し、一部のAsは非晶質/結晶回復層の界面近傍に偏析することが分かった。硬X線光電子分光により、Ge中のAsの化学結合状態を評価した結果、500℃の熱処理後では、活性化した成分に相当するAs^<1+>と不活性な成分に相当するAs^<0+>の結合状態が存在し、As^<1+>の成分比から算出した活性化率は〜4%で、ホール効果測定結果とほぼ一致することが分かった。この結果は、Siの場合と同様に、クラスター形成による活性化率の低下を示している。

収録刊行物

• 電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス

  電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 112 (92), 63-67, 2012-06-14

  一般社団法人電子情報通信学会

キーワード

• Ge
• イオン注入
• 不純物活性化
• 化学結合状態
• 硬X線光電子分光法
• Ion Implantation
• Dopant Activation
• Chemical Bonding Features
• Hard X-ray Photoemission Spectroscopy (HAXPES)

詳細情報

• CRID: 1050001338804689664
• NII論文ID: 110009588307
• NII書誌ID: AA1123312X
• HANDLE: 2237/23586
• NDL書誌ID: 023811307
• ISSN: 09135685
• Web Site: https://nagoya.repo.nii.ac.jp/records/21457
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I023811307
• 本文言語コード: ja
• 資料種別: journal article
• データソース種別:
  • IRDB
  • NDL
  • CiNii Articles