リングオシレータ利用モニタ回路によるチップ内温度・電圧の試作評価とフィールドテストへの活用検討 Evaluation of the on-chip temperature and voltage using ring-oscillator-based monitoring circuit and a study for an application to field test

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抄録

VLSIの劣化による回路遅延の増加が問題となっている.フィールドテストで高精度な遅延測定を行いその増加を検出するためには,温度や電圧等の遅延への影響を考慮する必要がある.そこで,リングオシレータを核とする温度・電圧モニタ用回路の試作を行い,チップ内部の温度と電圧の測定を行った.本論文では,試作した温度・電圧モニタ用回路の評価結果を利用し,フィールドテストへの活用を行う際の課題と対応策の検討について述べる.

Delay increase due to aging phenomena is a critical issue of VLSIs. For detecting such increase in field, highly accurate delay measurement that considers the influence by temperature and voltage is strongly needed. Therefore, we developed a TEG, in which ring-oscillator-based monitoring circuits are embedded, and evaluated on-chip temperature and voltage using the monitor circuits. In this paper, we discuss the issues and solutions field for test by using the evaluation results of the chip.

収録刊行物

  • 電子情報通信学会技術研究報告. DC, ディペンダブルコンピューティング : IEICE technical report

    電子情報通信学会技術研究報告. DC, ディペンダブルコンピューティング : IEICE technical report 112(102), 45-50, 2012-06-15

    一般社団法人電子情報通信学会

参考文献:  10件中 1-10件 を表示

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    110009588444
  • NII書誌ID(NCID)
    AA11645397
  • 本文言語コード
    JPN
  • 資料種別
    ART
  • ISSN
    0913-5685
  • NDL 記事登録ID
    023815599
  • NDL 請求記号
    Z16-940
  • データ提供元
    CJP書誌  NDL  NII-ELS 
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