200-1000nmの広光波長帯域に感度を有する高紫外光照射耐性CMOSイメージセンサ(イメージセンサ,カメラ信号処理,画像評価関連技術,及び2013IISWとVLSIシンポジウムからの発表報告)

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タイトル別名
  • A CMOS Image Sensor with 200-1000 nm Spectral Response and High Robustness to Ultraviolet Light Exposure
  • 200-1000nmの広光波長帯域に感度を有する高紫外光照射耐性CMOSイメージセンサ
  • 200-1000nm ノ コウヒカリハチョウ タイイキ ニ カンド オ ユウスル コウシガイコウ ショウシャ タイセイ CMOS イメージセンサ

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抄録

広光波長帯域における高い感度と紫外光照射に対して高い安定性・長期信頼性を有する画素ピッチ5.6μmのCMOSイメージセンサについて報告する.画素内の埋め込み完全空乏型フォトダイオードには,平坦化されたSi表面の近傍に急峻な濃度プロファイルを有するp^+層を形成し,紫外光に対する高感度化と紫外光照射耐性の向上を両立している.試作したCMOSイメージセンサにおいて,200-1000nmの広光波長帯域における分光感度と強い紫外光照射に対して感度劣化が無いことを確認した.

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