27pPSA-58 MOS構造表面からの電圧印加による脱離種の解析(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))

• 広田 望

  奈良先端大・物質創成

• 加藤 直也

  奈良先端大・物質創成

• 廣田 政人

  奈良先端大・物質創成

• 中家 佑吾

  奈良先端大・物質創成

• 服部 賢

  奈良先端大・物質創成

• 大門 寛

  奈良先端大・物質創成

書誌事項

タイトル別名

• Analysis of desorption species from MOS structure surfaces induced by gate voltages

収録刊行物

• 日本物理学会講演概要集

  日本物理学会講演概要集 68.2.4 (0), 821-, 2013

  一般社団法人 日本物理学会

詳細情報

• CRID: 1390282680966419968
• NII論文ID: 110009756314
• DOI: 10.11316/jpsgaiyo.68.2.4.0_821_2
• ISSN: 21890803
• 本文言語コード: ja
• データソース種別:
  • JaLC
  • CiNii Articles