テトラエトキシゲルマニウムによる極薄GeO₂膜の形成

• 吉田 鉄兵

• 加藤 公彦

• 柴山 茂久

書誌事項

タイトル別名

• テトラエトキシゲルマニウム ニ ヨル ゴクウス GeO ₂ マク ノ ケイセイ
• Formation of Ultra Thin GeO₂ Film by Tetraethoxy-Germanium
• シリコン材料・デバイス
• シリコン ザイリョウ ・ デバイス

収録刊行物

• 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報

  電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 113 (87), 7-11, 2013-06-18

  東京 : 電子情報通信学会

キーワード

• 立体GeチャネルMOSFET
• GeO₂/Ge構造
• 原子層堆積法
• テトラエトキシゲルマニウム
• Three-dimensional Ge channel MOSFET
• GeO₂/Ge structure
• Atomic layer deposition
• Tetraethoxy-germanium

詳細情報

• CRID: 1520853832624725888
• NII論文ID: 110009778904
• NII書誌ID: AA1123312X
• ISSN: 09135685
• NDL書誌ID: 024682717
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I024682717
• 本文言語コード: ja
• NDL 雑誌分類:
  • ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
• データソース種別:
  • NDL
  • CiNii Articles