1.2μm裏面照射型イメージセンサにおける飽和信号増大と混色抑制のための三次元構造(固体撮像技術および一般)

DOI Web Site
  • 篠原 武一
    ソニーセミコンダクタ株式会社IS開発部門
  • 渡辺 一史
    ソニーセミコンダクタ株式会社IS開発部門
  • 阿部 高志
    ソニー株式会社R&Dプラットフォームセミコンダクタテクノロジー開発部門
  • 太田 和伸
    ソニー株式会社R&Dプラットフォームセミコンダクタテクノロジー開発部門
  • 中山 創
    ソニーセミコンダクタ株式会社IS開発部門
  • 森川 隆史
    ソニー株式会社R&Dプラットフォームセミコンダクタテクノロジー開発部門
  • 大野 圭一
    ソニー株式会社R&Dプラットフォームセミコンダクタテクノロジー開発部門
  • 杉本 大
    ソニーセミコンダクタ株式会社IS開発部門
  • 門村 新吾
    ソニー株式会社R&Dプラットフォームセミコンダクタテクノロジー開発部門
  • 平山 照峰
    ソニー株式会社R&Dプラットフォームセミコンダクタテクノロジー開発部門

書誌事項

タイトル別名
  • Three-dimensional Structures for High Saturation Signals and Crosstalk Suppression in 1.20 μm Pixel Back-Illuminated CMOS Image Sensor
  • 1.2μm裏面照射型イメージセンサにおける飽和信号増大と混色抑制のための三次元構造
  • 1.2mm リメン ショウシャガタ イメージセンサ ニ オケル ホウワ シンゴウ ゾウダイ ト コンショク ヨクセイ ノ タメ ノ サンジゲン コウゾウ

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抄録

新規に開発した1.20μm画素の裏面照射型CMOSイメージセンサに搭載した縦型転送ゲート(VTG)と埋め込み遮光メタル(BSM)に関して報告する。どちらの技術もSi基板内に絶縁材料と導電材料を埋め込んだ、三次元的な構造を持っている。我々は白点や暗電流、信頼性を悪化させることなく、VTGでは約60%の飽和特性の向上、BSMでは斜め光に対する混色を50%程度に抑える効果を実現した。

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