原子レベル平坦化Si表面のキャリアモビリティ特性に基づくマルチゲートMOSFETの構造設計

• 黒田 理人

• 中尾 幸久

• 寺本 章伸

書誌事項

タイトル別名

• ゲンシ レベル ヘイタンカ Si ヒョウメン ノ キャリアモビリティ トクセイ ニ モトズク マルチゲート MOSFET ノ コウゾウ セッケイ
• A device structure design of multi-gate MOSFETs based on carrier mobility characteristics of atomically flattened Si surface
• シリコン材料・デバイス
• シリコン ザイリョウ ・ デバイス

収録刊行物

• 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報

  電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 113 (247), 15-20, 2013-10

  東京 : 電子情報通信学会

キーワード

• キャリアモビリティ
• マルチゲートMOSFET
• Carrier mobility
• Multi-gate MOSFET

詳細情報

• CRID: 1520009407143154048
• NII論文ID: 110009821551
• NII書誌ID: AA1123312X
• ISSN: 09135685
• NDL書誌ID: 025002674
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I025002674
• 本文言語コード: ja
• NDL 雑誌分類:
  • ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
• データソース種別:
  • NDL
  • CiNii Articles