招待講演 MOVPE再成長により形成した(111)B面を有する高移動度三角形状InGaAs-OI nMOSFETs

• 入沢 寿史

• 小田 穣

• 池田 圭司

書誌事項

タイトル別名

• ショウタイ コウエン MOVPE サイセイチョウ ニ ヨリ ケイセイ シタ(111)Bメン オ ユウスル コウイドウド サンカク ケイジョウ InGaAs-OI nMOSFETs
• High Electron Mobility Triangular InGaAs-OI nMOSFETs with (111)B Side Surfaces Formed by MOVPE Regrowth
• シリコン材料・デバイス 先端CMOSデバイス・プロセス技術(IEDM特集)
• シリコン ザイリョウ ・ デバイス センタン CMOS デバイス ・ プロセス ギジュツ(IEDM トクシュウ)

収録刊行物

• 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報

  電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 113 (420), 9-12, 2014-01-29

  東京 : 電子情報通信学会

キーワード

• InGaAs-OI MOSFET
• 高移動度
• 三角形状チャネル
• マルチゲート
• (111)B面
• High mobility
• Triangular channel
• Multi-gate
• (111)B surface

詳細情報

• CRID: 1520572359051503232
• NII論文ID: 110009825258
• NII書誌ID: AA1123312X
• ISSN: 09135685
• NDL書誌ID: 025278537
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I025278537
• 本文言語コード: ja
• NDL 雑誌分類:
  • ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
• データソース種別:
  • NDL
  • CiNii Articles