28pCJ-1 反強磁性近藤半導体CeOs_2Al_<10>の電子・正孔ドープ効果(28pCJ Ce系化合物1(近藤半導体・多極子など),領域8(強相関係))
書誌事項
- タイトル別名
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- 28pCJ-1 Electron and hole doping in the antiferromagnetic Kondo semiconductor CeOs_2Al_<10>
収録刊行物
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- 日本物理学会講演概要集
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日本物理学会講演概要集 69.1.3 (0), 635-, 2014
一般社団法人 日本物理学会
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1390001205961767552
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- NII論文ID
- 110009835859
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- ISSN
- 21890803
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- 本文言語コード
- ja
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- データソース種別
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- JaLC
- CiNii Articles