28pCJ-1 反強磁性近藤半導体CeOs_2Al_<10>の電子・正孔ドープ効果(28pCJ Ce系化合物1(近藤半導体・多極子など),領域8(強相関係))

DOI

書誌事項

タイトル別名
  • 28pCJ-1 Electron and hole doping in the antiferromagnetic Kondo semiconductor CeOs_2Al_<10>

収録刊行物

詳細情報 詳細情報について

  • CRID
    1390001205961767552
  • NII論文ID
    110009835859
  • DOI
    10.11316/jpsgaiyo.69.1.3.0_635_4
  • ISSN
    21890803
  • 本文言語コード
    ja
  • データソース種別
    • JaLC
    • CiNii Articles

問題の指摘

ページトップへ