28aBF-10 トポロジカルクリスタル絶縁体SnTeの電子構造の面方位依存性(28aBF トポロジカル絶縁体(実験),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))

• 田中 祐輔

  東北大院理

• 正満 拓也

  東北大院理

• 中山 耕輔

  東北大院理

• 相馬 清吾

  東北大WPI-AIMR

• 佐藤 宇史

  東北大院理

• 高橋 隆

  東北大院理:東北大WPI-AIMR

• Novak M.

  阪大産研

• 瀬川 耕司

  阪大産研

• 安藤 陽一

  阪大産研

書誌事項

タイトル別名

• 28aBF-10 Electronic structure of topological crystalline insulator SnTe on two different surfaces

収録刊行物

• 日本物理学会講演概要集

  日本物理学会講演概要集 69.1.4 (0), 707-, 2014

  一般社団法人 日本物理学会

詳細情報

• CRID: 1390001205964071680
• NII論文ID: 110009836109
• DOI: 10.11316/jpsgaiyo.69.1.4.0_707_1
• ISSN: 21890803
• 本文言語コード: ja
• データソース種別:
  • JaLC
  • CiNii Articles