最高撮像速度10Mfpsの高速度ビデオカメラによるMOSキャパシタの絶縁膜破壊現象の解析(高機能イメージセンシングとその応用)

書誌事項

タイトル別名
  • Ultra-High Speed Capturing of Dielectric Breakdown of Metal-Oxide-silicon Capacitor up to 10M frame per second
  • ポスター講演 最高撮像速度10Mfpsの高速度ビデオカメラによるMOSキャパシタの絶縁膜破壊現象の解析
  • ポスター コウエン サイコウ サツゾウ ソクド 10Mfps ノ コウソクド ビデオカメラ ニ ヨル MOS キャパシタ ノ ゼツエンマク ハカイ ゲンショウ ノ カイセキ

この論文をさがす

抄録

MOSキャパシタのTime dependent dielectric breakdown (TDDB)を,最高撮像速度10Mfpsの高速カメラを用いて初めて可視化した.TDDBには,電圧印加から現象発生までの間に時間的バラツキがあり瞬間的に発生するという特徴がある.撮像にあたりトリガ回路の作成を行い撮像システムを構築した.撮像結果,絶縁膜破壊時にMOSキャパシタの面内様々な場所で断続的な発光が起こることを高い頻度で確認した.撮像速度1Mfpsにおいて,約10μsecオーダで発光に時間間隔が生じていることを確認した.撮像速度10Mfpsにおいて,一回の発光時間は1μsec以下であることを確認した.

収録刊行物

詳細情報 詳細情報について

問題の指摘

ページトップへ