三次元TSV積層ReRAM/NANDフラッシュメモリハイブリッドSSDにおける不揮発メモリへの性能要求

• 宮地 幸祐

• 藤井 裕大

• 上口 光

書誌事項

タイトル別名

• サンジゲン TSV セキソウ ReRAM/NAND フラッシュメモリハイブリッド SSD ニ オケル フキハツ メモリ エ ノ セイノウ ヨウキュウ
• Requirements for Performance of Non-Volatile Memories in 3D TSV-Integrated Hybrid ReRAM/MLC NAND Solid-State Drive
• 集積回路
• シュウセキ カイロ

収録刊行物

• 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報

  電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 114 (13), 9-14, 2014-04

  東京 : 電子情報通信学会

キーワード

• ソリッドステートドライブ
• NANDフラッシュメモリ
• ReRAM
• メモリアーキテクチャ
• solid-state drive
• NAND flash memory
• memory architecture

詳細情報

• CRID: 1520290883726177536
• NII論文ID: 110009875069
• NII書誌ID: AA1123312X
• ISSN: 09135685
• NDL書誌ID: 025447518
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I025447518
• 本文言語コード: ja
• NDL 雑誌分類:
  • ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
• データソース種別:
  • NDL
  • CiNii Articles