依頼講演 1.5ns/2.1nsのランダム読出/書込サイクル時間を達成した不揮発性混載メモリ用1Mb STT-MRAM : 6T2MTJセルにバックグラウンド書き込み(BGW)方式を適用

• 大澤 隆

• 小池 洋紀

• 三浦 貞彦

書誌事項

タイトル別名

• イライ コウエン 1.5ns/2.1ns ノ ランダム ヨミダシ/カキコミ サイクル ジカン オ タッセイ シタ フキハツセイコンサイメモリヨウ 1Mb STT-MRAM : 6T2MTJ セル ニ バックグラウンド カキコミ(BGW)ホウシキ オ テキヨウ
• A 1Mb STT-MRAM for Nonvolatile Embedded Memories performing 1.5ns/2.1ns Random Read/Write Cycle Time : Background Write (BGW) Scheme applied to a 6T2MTJ Memory Cell
• 集積回路
• シュウセキ カイロ

収録刊行物

• 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報

  電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 114 (13), 33-38, 2014-04

  東京 : 電子情報通信学会

キーワード

• MTJ
• STT-MRAM
• power gating
• nonvolatile memory

詳細情報

• CRID: 1520290882343700480
• NII論文ID: 110009875073
• NII書誌ID: AA1123312X
• ISSN: 09135685
• NDL書誌ID: 025448050
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I025448050
• 本文言語コード: ja
• NDL 雑誌分類:
  • ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
• データソース種別:
  • NDL
  • CiNii Articles