磁気抵抗メモリにおける電子散乱過程の第一原理シミュレーション

• 洗平 昌晃

• 山本 貴博

• 白石 賢二

書誌事項

タイトル別名

• ジキ テイコウ メモリ ニ オケル デンシ サンラン カテイ ノ ダイイチ ゲンリ シミュレーション
• First-Principles Simulation on Electron Scattering Process of Magnetoresistance Memory
• 電子部品・材料
• デンシ ブヒン ・ ザイリョウ

収録刊行物

• 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報

  電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 114 (57), 47-50, 2014-05

  東京 : 電子情報通信学会

キーワード

• 磁気抵抗メモリ
• 電流誘起磁化反転
• 第一原理計算
• Magnetoresistance memory
• Current-induced magnetization switching
• First-principles calculation

詳細情報

• CRID: 1520009408456015616
• NII論文ID: 110009902712
• NII論文ID: 110009902758
• NII論文ID: 110009903225
• NII書誌ID: AA1123312X
• ISSN: 09135685
• NDL書誌ID: 025515545
• NDL書誌ID: 025514142
• NDL書誌ID: 025515850
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I025515545
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I025514142
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I025515850
• 本文言語コード: ja
• NDL 雑誌分類:
  • ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
• データソース種別:
  • NDL
  • CiNii Articles