InAs量子ドットLEDの発光波長制御に関する検討(ディスプレイ材料・製造技術シンポジウム)

• 下村 和彦

  上智大学理工学部

書誌事項

タイトル別名

• Emission wavelength control of InAs QDs LED
• 招待講演 InAs量子ドットLEDの発光波長制御に関する検討
• ショウタイ コウエン InAs リョウシ ドット LED ノ ハツ ヒカリハチョウ セイギョ ニ カンスル ケントウ

抄録

有機金属気相成長法によるInAs量子ドットの発光波長制御に関して検討を行った。SiO2マスクを用いた選択成長によりアレイ導波路ごとの発光波長御、ダブルキャップ法による量子ドット高さの制御、さらにInAsの下地層であるGaInAsバッファ層の組成制御により量子ドットの発光波長を広帯域で変える成長条件を検討した。そしてこれらの構造を用いたLEDを作製し、600nmを超える発光半値幅とフラットトップスペクトルを得た。

収録刊行物

• 映像情報メディア学会技術報告

  映像情報メディア学会技術報告 39.12 (0), 15-20, 2015

  一般社団法人 映像情報メディア学会

キーワード

• Quantum Dots
• MOVPE
• Selective area growth
• double-capping
• LED

詳細情報

• CRID: 1390282679507307136
• NII論文ID: 110009923301
• NII書誌ID: AN1059086X
• DOI: 10.11485/itetr.39.12.0_15
• ISSN: 24241970
• ISSN: 13426893
• NDL書誌ID: 026299349
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I026299349
• 本文言語コード: ja
• データソース種別:
  • JaLC
  • NDL
  • CiNii Articles
• 抄録ライセンスフラグ: 使用不可