F161003 GaN系パワー電子デバイスのための異種接合制御とプロセス技術(【F16100】次世代窒化物半導体デバイスとその精密加工技術の展望,情報・知能・精密機器部門企画,先端技術フォーラム)

• 橋詰 保

  北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター

書誌事項

タイトル別名

• F161003 Process technologies based on the control of GaN-related heterointerfaces for power transistor application

収録刊行物

• 年次大会

  年次大会 2013 (0), _F161003-1-_F161003-4, 2013

  一般社団法人 日本機械学会

詳細情報

• CRID: 1390282680817010048
• NII論文ID: 110009931769
• DOI: 10.1299/jsmemecj.2013._f161003-1
• ISSN: 24242667
• Web Site: https://www.jstage.jst.go.jp/article/jsmemecj/2013/0/2013__F161003-1/_pdf
• 本文言語コード: ja
• データソース種別:
  • JaLC
  • Crossref
  • CiNii Articles