109 応力に起因するnMOSFETの真性キャリア濃度変化に関するデバイスシミュレーション

• 小金丸 正明

  (株)福岡県産業・科学技術振興財団

• 多田 直弘

  京都大学

• 池田 徹

  鹿児島大学

• 宮崎 則幸

  京都大学

書誌事項

タイトル別名

• 109 Device Simulation for Impacts of Stress-Induced Change of Intrinsic Carrier Density in nMOSFETs

抄録

機械的な応力に起因するnMOSFETの電気特性変動をドリフト拡散デバイスシミュレーションにより評価した.その際,機械的な応力効果を反映する電子移動度モデルとともに,本研究では新たに機械的応力による真性キャリア濃度の変化を反映すモデルを用いた.シミュレーションの結果,応力に起因する真性キャリア濃度変化に伴う電気特性変動は小さいことが分かった.

収録刊行物

• 計算力学講演会講演論文集

  計算力学講演会講演論文集 2013.26 (0), _109-1_-_109-2_, 2013

  一般社団法人 日本機械学会

キーワード

• Drift-Diffusion Device Simulation
• Intrinsic Carrier Density
• Residual Stress
• nMOSFET
• Electron Mobility

詳細情報

• CRID: 1390001205858132864
• NII論文ID: 110009936073
• DOI: 10.1299/jsmecmd.2013.26._109-1_
• ISSN: 24242799
• Web Site: https://www.jstage.jst.go.jp/article/jsmecmd/2013.26/0/2013.26__109-1_/_pdf
• 本文言語コード: ja
• データソース種別:
  • JaLC
  • Crossref
  • CiNii Articles
• 抄録ライセンスフラグ: 使用不可