OS0815 フレキシブルトランジスタの曲げ変形解析

• 森本 卓也

  島根大学大学院総合理工学研究科機械・電気電子工学領域

• 芦田 文博

  島根大学大学院総合理工学研究科機械・電気電子工学領域

書誌事項

タイトル別名

• OS0815 Bending of Flexible Transistors

抄録

We study structural variations of flexible field-effect transistors due to bending. Under the plane strain condition, we estimate the relative change in capacitance under tensile and compressive strains. Each layer is assumed to be linear elastic and channel length is much larger than channel width. The predictions are compared to experimental data reported in literatures and shown to have good agreement in the small-strain range.

収録刊行物

• M&M材料力学カンファレンス

  M&M材料力学カンファレンス 2013 (0), _OS0815-1_-_OS0815-2_, 2013

  一般社団法人 日本機械学会

キーワード

• Transistors
• Layered structures
• Thin films
• Sensor
• Bending

詳細情報

• CRID: 1390001205874014848
• NII論文ID: 110009936630
• DOI: 10.1299/jsmemm.2013._os0815-1_
• ISSN: 24242845
• Web Site: https://www.jstage.jst.go.jp/article/jsmemm/2013/0/2013__OS0815-1_/_pdf
• 本文言語コード: ja
• データソース種別:
  • JaLC
  • Crossref
  • CiNii Articles
• 抄録ライセンスフラグ: 使用不可