イメージセンサデバイスにおけるイオン注入

• 川崎 洋司

• 布施 玄秀

• 佐野 信

Bibliographic Information

Other Title

• イメージセンサデバイス ニ オケル イオン チュウニュウ
• Ion Implantation Technology for Image Sensing Devices
• シリコン材料・デバイス
• シリコン ザイリョウ ・ デバイス

Journal

• 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報

  電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 114 (255), 23-30, 2014-10

  東京 : 電子情報通信学会

Keywords

• フォトダイオード
• 高エネルギー注入
• 多段注入
• チャネリング
• 角度精度
• 厚膜フォトレジスト
• ビーム走査
• 電場フィルター
• 金属汚染
• RF型電子シャワー
• photodiode
• high energy implantation
• chaining implantation
• channeling
• angle accuracy
• photoresist
• electro static filter
• metal contamination
• RF-PFG

Details

• CRID: 1520572358635184768
• NII Article ID: 110009959300
• NII Book ID: AA1123312X
• ISSN: 09135685
• NDL BIB ID: 025917412
• Web Site: http://id.ndl.go.jp/bib/025917412
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I025917412
• Text Lang: ja
• NDL Source Classification:
  • ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
• Data Source:
  • NDL
  • CiNii Articles