B⁺およびB₁₀H₁₄⁺注入Si基板の軟X線照射による活性化

• 部家 彰

• 草壁 史

• 平野 翔大

書誌事項

タイトル別名

• B ⁺ オヨビ B ₁ ₀ H ₁ ₄ ⁺ チュウニュウ Si キバン ノ ナンXセン ショウシャ ニ ヨル カッセイカ
• Activation of B⁺ or B₁₀H₁₄⁺ Implanted Silicon by Soft X-ray Irradiation
• シリコン材料・デバイス
• シリコン ザイリョウ ・ デバイス

収録刊行物

• 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報

  電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 114 (360), 13-16, 2014-12-12

  東京 : 電子情報通信学会

キーワード

• 軟X線源
• Bクラスタ
• 低温活性化
• シリコン
• 電子励起
• 原子移動
• Soft X-ray source
• Boron cluster
• Low-temperature activation
• Silicon
• Electron excitation
• Atomic movement

詳細情報

• CRID: 1520009408195952256
• NII論文ID: 110009977536
• NII論文ID: 110009977655
• NII書誌ID: AA1123312X
• ISSN: 09135685
• NDL書誌ID: 026034987
• NDL書誌ID: 026033644
• Web Site: http://id.ndl.go.jp/bib/026034987
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I026034987
• Web Site: http://id.ndl.go.jp/bib/026033644
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I026033644
• 本文言語コード: ja
• NDL 雑誌分類:
  • ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
• データソース種別:
  • NDL
  • CiNii Articles