InAs-GaAs(001)表面再構成における組成ゆらぎと量子ドットの非古典的核形成(<特集>半導体結晶成長機構のその場観察)

• 小西 智也

  阿南工業高等専門学校地域連携・テクノセンター

• Bell Gavin R.

  Department of Physics, University of Warwick

• 塚本 史郎

  阿南工業高等専門学校地域連携・テクノセンター

書誌事項

タイトル別名

• Atomic-scale Fluctuation of InAs-GaAs(001) Surface Reconstruction and Non-classical Nucleation of Quantum Dots(<Special Issue>Semiconductor Crystal Growth Mechanism studied by in-situ Observation Techniques)
• InAs-GaAs(001)表面再構成における組成ゆらぎと量子ドットの非古典的核形成
• InAs-GaAs(001)ヒョウメン サイコウセイ ニ オケル ソセイユラギ ト リョウシ ドット ノ ヒコテンテキカク ケイセイ

抄録

The growth of InAs quantum dots on GaAs(001) shows a new aspect of non-classical nucleation, namely the dynamic formation of preferred growth sites within the substrate. Using fully in situ scanning tunnelling microscopy - molecular beam epitaxy, we observe rapidly changing transitions between domains of different surface reconstruction a few nm in size. Nucleation of 3D islands is preferred on one particular reconstruction, blurring the line between heterogeneous and homogeneous nucleation as traditionally understood on a static substrate.

収録刊行物

• 日本結晶成長学会誌

  日本結晶成長学会誌 42 (3), 174-179, 2015

  日本結晶成長学会

詳細情報

• CRID: 1390282680874006144
• NII論文ID: 110010006389
• NII書誌ID: AA12677650
• ISSN: 21887268
• ISSN: 21878366
• ISSN: 03856275
• DOI: 10.19009/jjacg.42.3_174
• NDL書誌ID: 026842826
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I026842826
• 本文言語コード: ja
• データソース種別:
  • JaLC
  • NDL
  • CiNii Articles
• 抄録ライセンスフラグ: 使用不可