Analytical formulation of interfacial SiO₂ scavenging in HfO₂/SiO₂/Si stacks

• 李 秀妍

• 矢嶋 赳彬

• 西村 知紀

書誌事項

タイトル別名

• HfO₂/SiO₂/SiゲートスタックにおけるSiO₂スカベンジング現象の定式化
• HfO ₂/SiO ₂/Si ゲートスタック ニ オケル SiO ₂ スカベンジング ゲンショウ ノ ジョウシキカ
• シリコン材料・デバイス ; 先端CMOSデバイス・プロセス技術(IEDM特集)
• シリコン ザイリョウ ・ デバイス ; センタン CMOS デバイス ・ プロセス ギジュツ(IEDM トクシュウ)

収録刊行物

• 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報

  電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 114 (421), 1-4, 2015-01-27

  東京 : 電子情報通信学会

キーワード

• HfO₂ gate stack
• SiO₂ scavenging
• SiO₂/Si interface reaction
• oxygen vacancy
• diffusion-reaction

詳細情報

• CRID: 1520009408126271872
• NII論文ID: 110010010012
• NII書誌ID: AA1123312X
• ISSN: 09135685
• NDL書誌ID: 026148527
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I026148527
• 本文言語コード: en
• NDL 雑誌分類:
  • ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
• データソース種別:
  • NDL
  • CiNii Articles