Dramatic Effects of Hydrogen-induced Out-diffusion of Oxygen from Ge Surface on Junction Leakage as well as Electron Mobility in n-channel Ge MOSFETs

• 李 忠賢

• 西村 知紀

• 魯 辞莽

書誌事項

タイトル別名

• 招待講演 Ge基板中の酸素がn-MOSFETsの接合リーク電流及び電子移動度に与える効果
• ショウタイ コウエン Ge キバン チュウ ノ サンソ ガ n-MOSFETs ノ セツゴウ リーク デンリュウ オヨビ デンシ イドウド ニ アタエル コウカ
• シリコン材料・デバイス ; 先端CMOSデバイス・プロセス技術(IEDM特集)
• シリコン ザイリョウ ・ デバイス ; センタン CMOS デバイス ・ プロセス ギジュツ(IEDM トクシュウ)

収録刊行物

• 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報

  電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 114 (421), 5-8, 2015-01-27

  東京 : 電子情報通信学会

キーワード

• germanium
• MOSFET
• mobility
• junction leakage

詳細情報

• CRID: 1520572357614792960
• NII論文ID: 110010010013
• NII書誌ID: AA1123312X
• ISSN: 09135685
• NDL書誌ID: 026148578
• Web Site: http://id.ndl.go.jp/bib/026148578
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I026148578
• 本文言語コード: en
• NDL 雑誌分類:
  • ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
• データソース種別:
  • NDL
  • CiNii Articles