招待講演 双方向遷移モデルを用いた垂直磁化型STT-MRAMにおける熱安定性の面積依存性評価

• 角田 浩司

• 青木 正樹

• 能代 英之

書誌事項

タイトル別名

• ショウタイ コウエン ソウホウコウ センイ モデル オ モチイタ スイチョク ジカガタ STT-MRAM ニ オケル ネツ アンテイセイ ノ メンセキ イソンセイ ヒョウカ
• Area Dependence of Thermal Stability Factor in Perpendicular STT-MRAM Analyzed by Bi-directional Data Flipping Model
• シリコン材料・デバイス
• シリコン ザイリョウ ・ デバイス

収録刊行物

• 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報

  電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 114 (469), 23-28, 2015-03-02

  東京 : 電子情報通信学会

キーワード

• スピン注入型MRAM
• 垂直磁気トンネル接合
• 熱安定性
• 双方向データ遷移モデル
• STT-MRAM
• Perpendicular MTJ
• Thermal stability factor
• Bi-directional data flipping model

詳細情報

• CRID: 1520009407937729536
• NII論文ID: 110010021969
• NII書誌ID: AA1123312X
• ISSN: 09135685
• NDL書誌ID: 026329131
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I026329131
• 本文言語コード: ja
• NDL 雑誌分類:
  • ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
• データソース種別:
  • NDL
  • CiNii Articles