微細MOSFETの高性能化に向けた窒素イオン注入技術

• 黒井 隆

  三菱電機ULSI開発研究所

• 清水 悟

  三菱電機ULSI開発研究所

• 井上 靖郎

  三菱電機ULSI開発研究所

• 犬石 昌秀

  三菱電機ULSI開発研究所

書誌事項

タイトル別名

• Nitrogen ion implantation for highly reliable and high-performance MOSFETs

抄録

微細MOSFETの高性能,高信頼化を実現するための新しい窒素イオン注入技術についで述べる.ポリシリコンゲート電極に窒素イオン注入を行い窒素をゲート酸化膜に拡散させることで窒化酸化膜力形成できる.この技術を用いてボロンのゲート電極からの突き抜けが抑制できると同時に,ホットキャリア耐性などのゲート酸化膜信頼性を向上させることがでぎる.ざらに, MOSFETのソースドレイン領域に注入される窒素の影響で,不純物の拡散を抑制し,接合リーク電流を増加させることなく浅し接合の形成が河能となる.

収録刊行物

• 応用物理

  応用物理 66 (4), 381-384, 1997

  公益社団法人 応用物理学会

キーワード

• silicon
• nitrogen
• ion implantation
• nitrided oxide
• boron penetration
• hot carrier
• shallow junction
• junction leakage current

詳細情報

• CRID: 1390282679574109824
• NII論文ID: 130003593657
• DOI: 10.11470/oubutsu1932.66.381
• COI: 1:CAS:528:DyaK2sXivFCitb0%3D
• ISSN: 21882290
• ISSN: 03698009
• データソース種別:
  • JaLC
  • CiNii Articles
• 抄録ライセンスフラグ: 使用不可