不揮発性メモリー用ＰＺＴ薄膜

• 中村 孝

  ローム(株)

書誌事項

タイトル別名

• PZT Thin Films for Non-volatile Memory.

抄録

強誘電体をメモリなどの半導体集積回路に応用する研究が盛んに行われている。それに伴い強誘電体の成膜などのプロセス技術や物性についてもメモリ素子への応用という観点から研究が進み強誘電体メモリの実用化は秒読み段階になってきた。しかし, 高信頼化や高密度化に向けてまだまだ課題が数多く残されている。高信頼化に向けて現在抱えている問題点としては,データ保持特性, 書換え耐性や耐環境性である。これは, 材料や強誘電体の膜質はもちろんのこと, キャパシタ形成後の還元雰囲気やストレスなどによる劣化が問題となっている。高密度化に対しては, 表面モフォロジーの改善, 薄膜化, エッチングプロセスの特性向上などが望まれてくるであろう。このように, 強誘電体のメモリ応用という観点からPZT系強誘電体を中心に, 材料, プロセス, 電気特性について述べていく。

収録刊行物

• 表面科学

  表面科学 17 (11), 666-670, 1996

  公益社団法人 日本表面科学会

詳細情報

• CRID: 1390282681432354688
• NII論文ID: 130003683574
• DOI: 10.1380/jsssj.17.666
• ISSN: 18814743
• ISSN: 03885321
• Web Site: http://www.jstage.jst.go.jp/article/jsssj1980/17/11/17_11_666/_pdf
• 本文言語コード: ja
• データソース種別:
  • JaLC
  • Crossref
  • CiNii Articles
• 抄録ライセンスフラグ: 使用不可