半導体技術を用いた薄膜キャパシタ受動部品の作製

DOI Web Site Web Site 被引用文献5件
  • 小岩 一郎
    沖電気工業株式会社シリコンソリューションカンパニー研究本部
  • 足利 欣哉
    沖電気工業株式会社シリコンソリューションカンパニー研究本部
  • 照井 誠
    沖電気工業株式会社シリコンマニュファクチャリングカンパニーATPビジネス本部
  • 白石 靖
    沖電気工業株式会社シリコンマニュファクチャリングカンパニーATPビジネス本部
  • 安在 憲隆
    沖電気工業株式会社シリコンマニュファクチャリングカンパニーATPビジネス本部
  • 大角 卓史
    沖電気工業株式会社シリコンマニュファクチャリングカンパニーATPビジネス本部
  • 逢坂 哲彌
    早稲田大学理工学部応用化学科
  • 熊谷 智弥
    東京応化工業株式会社開発本部
  • 佐藤 善美
    東京応化工業株式会社開発本部
  • 橋本 晃
    東京応化工業株式会社開発本部

書誌事項

タイトル別名
  • Fabrication of Passive Thin Film Capacitor by Using Semiconductor Technology
  • ハンドウタイ ギジュツ オ モチイタ ハクマク キャパシタ ジュドウ ブヒン ノ サクセイ

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抄録

Recently, there has been a strong demand for smaller electronic devices with improved. About 60% of the area is occupied by the passive components for packaging. To overcome this limitation, an embedded capacitor was prepared using semiconductor technologies and the process technology of ferroelectric random access memories. Eight micro capacitors were prepared in a 2 mm2 area. Two types of high dielectric constant material were used. The first one is Barium Strontium Titanium oxide (BST) for focusing high capacitance with high loss, and the other is Strontium Bismath Tantalum oxide (SBT) for focusing low loss with medium capacitance. The micro capacitor with BST, whose dielectric constant (ε) was 350, showed about 3200pF at 0 bias and its loss, tan δ, was a little lower than 0.01. The one with SBT, whose ε was 51, showed 470 pF, and its tan δ was about 0.001. It is concluded that micro capacitors with the requested characteristics were prepared.

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