NAPLDによる燐ドープZnOナノワイヤの作製とその特性評価

• 松本 隆文

  九大

• 久米田 章夫

  九大

• 曹 丙強

  九大

• 東畠 三洋

  九大

• 中村 大輔

  九大

• 境 健太郎

  宮崎大

• 岡田 龍雄

  九大

書誌事項

タイトル別名

• Synthesis of P-doped ZnO Nanowires with NAPLD and Their Characterization

抄録

我々はこれまでに，ナノ微粒子支援レーザ堆積法 (Nanoparticles-Assisted Pulsed Laser Deposition : NAPLD) と名付けた手法によるZnOナノワイヤの作製を行ってきた．そして，作製条件の最適化とサファイア基板のアニールによる表面処理により，触媒を使うことなく基板に垂直にZnOナノワイヤを成長させることに成功している．今回ZnOによるホモ接合型紫外発光素子の実現に向けて，燐をドープしたZnOナノワイヤの作製を行い，ナノワイヤのp型化を試みた．現在，ナノワイヤをベースとしたFETの作製を行い，ナノワイヤの特性を評価中である．

収録刊行物

• 電気関係学会九州支部連合大会講演論文集

  電気関係学会九州支部連合大会講演論文集 2009 (0), 565-565, 2009

  電気・情報関係学会九州支部連合大会委員会

キーワード

• 光および量子エレクトロニクス

詳細情報

• CRID: 1390282680640199936
• NII論文ID: 130004609918
• DOI: 10.11527/jceeek.2009.0.565.0
• データソース種別:
  • JaLC
  • CiNii Articles
• 抄録ライセンスフラグ: 使用不可