レーザ光散乱法によるSiウエハ表面上の微小酸化膜段差の観察

• 井上 晴行

  大阪大学　大学院工学研究科　精密科学専攻

• 片岡 俊彦

  大阪大学　大学院工学研究科　精密科学専攻

• 和田 勝男

  大阪大学　大学院工学研究科　精密科学専攻

• 出口 智己

  大阪大学　大学院工学研究科　精密科学専攻

• 長尾 祥浩

  大阪大学　大学院工学研究科　精密科学専攻

• 越智 保文

  大阪大学　大学院工学研究科　精密科学専攻

• 有馬 健太

  大阪大学　大学院工学研究科　精密科学専攻

• 森田 瑞穂

  大阪大学　大学院工学研究科　精密科学専攻

書誌事項

タイトル別名

• Nanometer step observation of oxide film on a Silicon wafer surface using laser light scattering method

抄録

高感度で大面積を短時間で計測できる光散乱を利用したSiウエハ表面評価装置を試作した.装置は、限外顕微鏡法による検出系でCCDカメラを用い計測している。これまで、Siウエハ上のパーティクル、マイクロラフネス、マイクロスクラッチなど微小欠陥計測の結果を報告した。今回は、Si酸化膜をエッチング法により製作した数nm厚さまでの酸化膜段差を観察した。

収録刊行物

• 精密工学会学術講演会講演論文集

  精密工学会学術講演会講演論文集 2004S (0), 599-599, 2004

  公益社団法人 精密工学会

キーワード

• 光散乱
• 酸化膜段差
• エッチング
• Siウエハ
• 微小欠陥
• 限外顕微鏡

詳細情報

• CRID: 1390001205648348544
• NII論文ID: 130004656417
• DOI: 10.11522/pscjspe.2004s.0.599.0
• データソース種別:
  • JaLC
  • CiNii Articles
• 抄録ライセンスフラグ: 使用不可