RFプラズマCVD法による窒化ホウ素膜の堆積

DOI Web Site Web Site 参考文献1件
  • 稲尾 拓朗
    室蘭工業大学大学院 工学研究科 情報電子工学系専攻
  • 熊懐 正彦
    室蘭工業大学大学院 工学研究科 情報電子工学系専攻
  • 佐藤 孝紀
    室蘭工業大学大学院 工学研究科 情報電子工学系専攻 室蘭工業大学 環境科学・防災研究センター
  • 吉野 正樹
    北海道職業能力開発大学校 電子情報技術科
  • 伊藤 秀範
    室蘭工業大学大学院 工学研究科 情報電子工学系専攻

書誌事項

タイトル別名
  • Deposition of Boron Nitride Films using RF Plasma CVD Method
  • RF プラズマ CVDホウ ニ ヨル チッカ ホウソマク ノ タイセキ

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抄録

Recently, as a great demand for high-strength and high-hardness materials is rising, improvement in performance of tools which manufacture those materials is being needed. Generally, tools to manufacture such materials are given high-hardness coating. Diamond and DLC (diamond like carbon) film are regarded as typical high-hardness materials, though, they can't be given to iron tools because carbons contained in them have high reactivity to iron. Consequently, the boron-nitride film which doesn't contain any carbons is expected as a coating material which can be adapted to iron tools. In this research, we prepared boron-nitride thin films on Si substrate using RF plasma CVD (chemical vapor deposition) method apparatus with a gas mixture of argon, nitrogen and trimethylborate (TMB: B(OCH3)3).

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参考文献 (1)*注記

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